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中国电子科技集团有限公司（中国电科）宣布，中国电科 46 所近日成功制备出我国首颗 6 英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。
据介绍，氧化镓是新型超宽禁带半导体材料，拥有优异的物理化学特性，在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。但因具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性，因此，大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。
中国电科 46 所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适用于 6 英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了 6 英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于 6 英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。
中国电科 46 所位于天津市河西区，是我国最早从事半导体材料和光纤研究开发与生产的单位之一，自成立以来，致力于为我国电子信息提供高性能、高可靠的各类电子功能材料。
中国电科 46 所拥有硅单晶抛光片、半绝缘砷化镓抛光片、偏振保持光纤国军标生产线，具备规模化生产能力；业务覆盖半导体材料、新型电子功能材料、特种光纤与器件、功能基板及陶瓷材料、电子专用材料理化分析及监督检测、电子工业仪表及电子专用设备六大板块，各类产品广泛应用于光电探测、空间工程、网络通讯、新一代武器装备和电子信息系统等领域，为我国电子信息发展提供了高性能、高可靠性的支撑材料。
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