作为半导体制造不可或缺的材料，光刻胶质量和性能是影响集成电路电性、成品率及可靠性的关键因素。但光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。当半导体制造节点进入到 100 nm 甚至是 10 nm 以下，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，成为光刻制造的共性难题。针对上述瓶颈问题，九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队，支持华中科技大学团队突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。

该研究通过巧妙的化学结构设计，以两种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”，最终得到光刻图像形貌与线边缘粗糙度优良、space 图案宽度值正态分布标准差（SD）极小（约为 0.05）、性能优于大多数商用光刻胶。且光刻显影各步骤所需时间完全符合半导体量产制造中对吞吐量和生产效率的需求。

该研究成果有望为光刻制造的共性难题提供明确的方向，同时为 EUV 光刻胶的着力开发做技术储备。

相关成果以“Dual nonionic photoacids synergistically enhanced photosensitivity for chemical amplified resists”为题，于 2024 年 2 月 15 日在国际顶级刊物 Chemical Engineering Journal (IF=15.1) 发表。