成都辰显光电有限公司在国际电工委员会（IEC）牵头制定的国际标准提案《半导体器件第 5-17 部分：光电子器件发光二极管微型发光二极管阵列器件光电参数测试方法》通过了新工作项目提案（NP）投票。

NP 投票是国际标准从提案建议阶段进入正式起草阶段的重要节点，通常由国家成员体提出申请，国际标准化组织按照“一国一票”的原则组织各成员国进行投票表决。

这是 Micro LED 领域首个申请并成功立项的国际标准，也是 Micro LED 方向我国主导的第一个国际标准，具有里程碑的意义。

该项国际标准明确了 Micro LED 阵列光电参数的标准化测量条件和测量方法，将解决长期以来 Micro LED 光电参数测试方法不统一的行业痛点。该标准将为 Micro LED 显示器件的生产制造、检验检测及国际贸易交流提供统一的技术依据，对于确保 Micro LED 产品的品质与性能一致性具有关键支撑作用。

Micro LED 因其高亮度、低功耗、自发光等优势受到广泛关注，有望成为新一代主流显示技术。在 Micro LED 制程中，混 bin（参数分选）工艺对品质管控至关重要，其本质是通过光电参数测试，对不同波长、亮度的 LED 精准分级以匹配应用需求。这是实现 Micro LED 光学参数一致性调控的关键环节，将直接影响显示的均一性与良率提升。而随着 Micro LED 芯片的微缩化，传统的测试方案难以满足需求。

面对这一行业挑战，辰显光电通过采用选择性巨量转移技术制备电驱动的 Micro LED 测试阵列，实现了快速、批量测试 Micro LED 的亮度长 / 短程均匀性、色度均匀性等关键光电参数。

近年来，中、日、韩纷纷开启 Micro LED 产业和标准布局，抢占国际标准话语权势在必行。此外，工业和信息化部等印发的《电子信息制造业 2023-2024 年稳增长行动方案》中明确指出推动微发光二极管显示器件（Micro LED）等扩大应用。国家标准化管理委员会等四部门印发的《新产业标准化领航工程实施方案（2023—2035 年）》中也明确提出，全面推进新兴产业标准体系建设，在未来显示中强调研制 Micro LED 显示等关键技术标准。

除辰显光电外，中国电子技术标准化研究院等研究机构和多家产业上下游企业共同参与了标准制定。此项国际标准将推动 Micro LED 显示技术的标准化、规范化进程，提升我国在半导体显示器件领域的话语权和国际影响力。