中国移动研究院成功自主研制出中国移动首款新结构硅基外腔混合集成光源芯片，相关成果被光学领域顶级学术期刊Photonics Research录用（影响因子7.2，中国科学院1区TOP）。

该芯片本征线宽（衡量信号频率稳定性的核心指标）达34.2 Hz，相位噪声比现有产品降低三个量级（本征线宽从数十kHz降低到数十Hz），为每秒可传送万亿比特数据的T比特级下一代光传输技术提供了全新解决方案。

面对T比特级光传输“扩波段”“提速率”的挑战，研发团队通过三大技术创新突破瓶颈：一是用“反向游标”结构实现超200nm超宽谱调谐，较现有商用产品提升100％；二是攻克增益难题，实现多波段无缝切换；三是采用低损氮化硅谐振腔，让线宽仅为现有商用产品的千分之一。

历经3年攻关，团队全程主导从结构设计、参数仿真到版图布局、流片封装、原型验证的全流程研发，在实现调谐范围、线宽等关键性能指标突破的同时，通过优化结构设计和版图布局，将芯片面积缩减90％，达到1.5mm×4mm，且兼容标准的紧凑型nano封装，具备产品化前景。该芯片从设计、制备到封装均在国内完成，实现了全链条自主可控。