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我国西工大团队在植入式脑机接口领域取得突破
2026/2/9 作者:远洋 文章来源:IT之家 

西北工业大学常洪龙教授、吉博文副教授团队成功研发出一种三维锥形碳基软性大脑皮层电极阵列,有效解决了传统电极长期植入稳定性差、易损伤脑组织等关键技术瓶颈,相关成果荣获 IEEE MEMS 2026 最佳论文奖。

该电极采用碳基材料与三维锥形结构设计,具备高度柔韧性,能够贴合柔软曲折的大脑表面。动物实验显示,其关键性能较传统金属电极提升数百倍,可在不损伤大脑皮层的前提下获取高保真脑电信号,并实现长期稳定的刺激调控功能。此外,该电极可在超高场核磁共振检查中安全使用。

2025 年 12 月,该电极搭载“迪迩五号 · 中国科技城号”空间试验器进入太空,完成了国际上首次太空环境下无线植入式脑机接口设备的长期在轨离体验证。试验获取的模拟体液环境噪声与稳定性数据,为评估电极长期服役性能提供了关键依据,未来将助力科学家分析太空微重力环境对航天员神经活动的影响机制。

该技术为瘫痪患者运动功能重建、失语症语言解码、帕金森病神经调控等临床应用奠定了硬件基础,同时为长期航天任务中的脑健康监测提供了新的技术路径。

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