深圳平湖实验室第四代半导体团队在氧化镓光导开关器件研究方面取得重要进展，成功研发出具备万伏级耐压能力的垂直结构光导开关器件。

该团队与山东大学肖龙飞教授团队合作，对该器件进行了系统性分析，实现了动态导通电阻低于10欧姆、电压转换效率超过80%的综合优异性能，其开启响应时间也进入亚纳秒（＜1 ns）量级。这标志着我国在高性能光控功率半导体器件领域取得显著突破。

光导开关作为脉冲功率技术和高电压高速控制领域的核心元器件，具有光电隔离、响应快、抗电磁干扰等优势，在先进能源装备、特种电子系统及前沿科研中具有不可替代的作用。

氧化镓作为新一代超宽禁带半导体材料，具备极高的理论击穿场强和良好的光敏特性，被认为是制造下一代高耐压、高效率、快响应光导开关的理想材料。

该高性能氧化镓光导开关的成功研制，为我国在高压直流输电智能化控制、大功率脉冲产生、先进加速器及国防高技术装备等领域提供了潜在的新型器件解决方案。