据外媒anandtech报道，台积电（TSMC）目前已悄然推出7nm深紫外DUV（N7）和5nm极紫外EUV（N5）制造工艺的性能增强版本。该公司的N7P和N5P技术专为需要7nm设计运行更快或消耗电量更少的客户设计。

台积电全新N7P工艺采用与N7相同的设计规则，优化了前端（FEOL）和中端（MOL），可在相同功率下将性能提升7％，或者在相同的频率下降低10％的功耗。

据悉，台积电最早于今年在日本举办的VLSI研讨会上透露相关信息，但并没有广泛宣传。N7P采用经过验证的深紫外（DUV）光刻技术，与N7相比，没有改变晶体管密度。

而需要晶体管密度高出约18%至20％的TSMC客户，预计将使用N7+N6工艺技术。其中，N6工艺技术通过极紫外（EUV）光刻技术进行多层处理。

此外，台积电下一个具有显著密度、改进功耗和性能的主要节点是N5（5nm），提供了一个名为N5P的性能增强版本。该技术采用FEOL和MOL优化功能，以便在相同功率下使芯片的运行速度提高7％，或在相同频率下将功耗降低15％。