10 月 12 日，三星对外宣布已开始量产基于极紫外（EUV）光技术的 14 纳米 DRAM。

继去年 3 月出货首款 EUV DRAM 后，现阶段将 EUV 的层数增加至五层，将会为 DDR5 提供更优质的解决方案。

三星电子高级副总裁兼 DRAM 产品与技术负责人 Jooyoung Lee 表示：“通过开拓关键的图案化创新技术，我们在近三年的时间里一直引领着 DRAM 市场。如今，三星正在通过多层 EUV 建立起另一个技术的里程碑，该技术实现了 14 纳米的极致化 —— 这是传统氟化氩 (ArF) 工艺无法实现的壮举。在此基础上，我们将继续为 5G、AI 和虚拟世界中需要更高性能和更大容量的数据驱动计算，提供最具差异化的内存解决方案。”

三星通过在 14 纳米 DRAM 中添加五个 EUV 层，实现了超高的比特密度，同时将整体晶圆的生产率提高了约 20%。此外与上一代 DRAM 相比，14 纳米工艺有助于降低近 20% 的功耗。

根据最新 DDR5 的标准，三星的 14 纳米 DRAM 可带来 7.2Gbps 的超高速，是前代 DDR4 的 3.2Gbps 最高速度的两倍多。

同时三星计划扩展其 14 纳米 DDR5 的产品组合，用来支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。此外，三星预计将其 14 纳米 DRAM 芯片密度增加到 24Gb，以更好地满足全球 IT 系统快速增长的数据需求。