上海交大无锡光子芯片研究院（CHIPX）6 月 5 日宣布迎来重磅时刻：首片 6 寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆在国内首个光子芯片中试线下线，同时实现了超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片的规模化量产，关键技术指标达到国际先进水平。这一突破性成果标志着我国在高端光电子核心器件领域完成从“技术跟跑”到“产业领跑”的历史性跨越。

光量子芯片是光量子计算的核心硬件载体，其产业化进程将推动我国在量子信息领域实现自主可控，更是抢占全球量子科技竞争制高点的战略支撑。此前，因共性关键工艺技术平台的缺失，我国光量子技术面临“实验室成果难以量产”的困境，是制约产业发展的“卡脖子”难题，而光子芯片中试线的启用成为破局关键。

上海交大无锡光子芯片研究院于 2022 年 12 月启动国内首条光子芯片中试线建设，2024 年 9 月，集光子芯片研发、设计、加工和应用于一体的光子芯片中试线正式启用。如今，首片晶圆成功下线，中试平台实现量产通线。

作为一种高性能光电材料，薄膜铌酸锂具备超快电光效应、高带宽、低功耗等优势，在 5G 通信、量子计算等领域展现出巨大潜力。然而，由于薄膜铌酸锂材料脆性大，大尺寸薄膜铌酸锂晶圆的制备一直被行业视为挑战，尤其在量产化工艺中面临纳米级加工精度控制、薄膜沉积均匀性保证、刻蚀速率一致性调控等三大难题。

CHIPX 工艺团队基于自主建设的国内首条光子芯片中试线，引进了 110 余台国际顶级 CMOS 工艺设备，覆盖了薄膜铌酸锂晶圆从光刻、薄膜沉积、刻蚀、湿法、切割、量测到封装的全闭环工艺。通过创新性开发芯片设计、工艺方案与设备系统的协同适配技术，成功打通了从光刻图形化、精密刻蚀、薄膜沉积到封装测试的全制程工艺，实现晶圆级光子芯片集成工艺突破。

凭借中试平台先进的纳米级加工设备和快速工艺迭代能力，工艺团队通过大量工艺验证与优化，以深紫外（DUV）光刻与薄膜刻蚀的组合工艺，系统性地解决了晶圆级光子芯片集成的关键技术瓶颈：在 6 寸铌酸锂晶圆上实现了 110nm 高精度波导刻蚀；通过步进式（i-line）光刻完成了高均一性、纳米级波导与复杂高性能电极结构的跨尺度集成，达到顶尖制程水平。