杭州镓仁半导体有限公司（下称“镓仁半导体”）日前宣布，基于自研铸造法单晶生长与 MOCVD 外延工艺，建成全球首条 6/8 英寸氧化镓同质外延量产线，向头部芯片客户批量供货。

在长晶环节，镓仁半导体依靠全球独创的铸造法长晶技术，稳定生长出超厚氧化镓晶体。结合公司超薄衬底加工技术，将衬底出片量提升至原有 3 至 4 倍。此外，铸造法也进一步降低了贵金属铱的用量，使衬底单片成本较原来降低 80% 以上，显著降低下游器件厂商的材料成本。

在外延环节，镓仁半导体技术团队针对（100）面特点优化关键工艺参数，设计特色 MOCVD 外延工艺，成为全球首家且唯一一家商用 6 英寸氧化镓同质外延的供货厂商。公司出品的 6 英寸氧化镓同质外延片外延层厚度大于 10 μm，膜厚方差小于 1%，均匀性优异。

此前，氧化镓同质外延片在全球范围内存在尺寸小、产能低、均一性差等痛点，很难满足产业化需求。镓仁半导体此次不仅实现了 6 英寸氧化镓同质外延片的全球首片交付，更是打通“单晶-衬底-外延”的全流程稳定量产能力，建成全球首条 6/8 英寸氧化镓同质外延量产线，批次间品质稳定可控。目前海外多家企业和科研机构已陆续下单，多家合作客户已进行了长期稳定采购。