磁旋存储器(MRAM)是一种新型高端存储器，特点包括纳秒级读写速度、极高重写次数、掉电数据不丢失、极好的抗辐射和抗恶劣环境能力、能耗低等。磁旋存储技术在物联网、医疗卫生、工控与车载电子、存储器和服务器及核心路由器、移动终端等领域有着广泛的市场和发展前景。

11月3日下午，中电海康集团有限公司与临安市政府举行存储芯片项目签约仪式，标志着中电海康磁旋存储芯片研发及中试基地项目正式落户青山湖科技城。

海康新型高端存储芯片研发及中试基地项目位于青山湖科技城核心区，中电海康投资13亿元建设，占地50亩。临安市及青山湖科技城出资代建海康驰拓新型存储器研发与中试基地、洁净室和实验室。基地计划计划2017年10月投用。

杭州市委常委、城西科创产业集聚区党工委书记佟桂莉，省经信委副主任凌云，杭州城西科创产业集聚区管委会主任陈永良，临安市委书记张振丰，中电海康董事长、党委书记陈宗年，监事会主席、党委副书记屈力扬，总经理程瑜，总会计师宣寅飞，副总经理王云起及公司相关职能部门负责人出席签约仪式。签约仪式由临安市长王敏主持。

另外，海康驰拓科技有限公司作为该项目主导高端存储芯片研发、中试与产业化工作的单位，公司总经理、国家千人计划专家刘波博士，副总经理、浙江省千人计划专家陆宇博士出席了签字仪式。

杭州市委常委佟桂莉在签约仪式上指出，磁旋存储芯片研发及中试基地项目落户青山湖科技城意义重大，这是中电海康响应国家创新驱动发展战略，在核心技术自主创新道路上的又一次战略性行动。杭州市委、市政府以及城西科创产业集聚区将全力支持海康打造中国企业自主研发的“中国芯”。她表示，杭州城西科创大走廊及临安市、青山湖科技城作为项目所在地，要提供全面、全程、全方位的服务，确保项目如期建成，为中电海康持续发展、创造奇迹、实现梦想提供最佳环境。

临安市委书记张振丰表示，项目签约是临安市政府与中电海康相互信任、坦诚相待、精诚合作的结晶，凝聚着省市各级党委政府以及相关部门领导的关心重视和倾力支持，必将为杭州城西科创大走廊和青山湖科技城建设发展画上浓墨重彩的一笔。张振丰说，目前已成立并组建项目推进领导小组，落实精干专业服务力量，确保服务项目建设“随叫随到、有求必应、言出必行”。同时，他希望中电海康能以最强的项目团队，通过高起点规划、高标准建设、高水平的运作，与青山湖科技城一起为杭州乃至全省信息经济发展作出更大贡献。

中电海康董事长陈宗年表示，该高端存储芯片项目具备两大优势，一是响应并契合习总书记提出的加快推进国产自主可控替代计划，二是中国市场容量巨大，充满无限潜力。研发中试线基地的落实，代表着高端存储芯片项目迈向成功的第一步。中电海康与海康驰拓公司将携手临安市政府共同努力，致力于将临安这一方自然风光优美的圣地，打造成为人才、技术和产业集聚的高地。通过项目实施，从技术走向市场，最终实现就地产业化的成功，这是海康的使命，也是对国家和百姓最好的回报!

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磁旋存储器(MRAM)是一种新型高端存储器，特点包括纳秒级读写速度、极高重写次数、掉电数据不丢失、极好的抗辐射和抗恶劣环境能力、能耗低等。磁旋存储技术在物联网、医疗卫生、工控与车载电子、存储器和服务器及核心路由器、移动终端等领域有着广泛的市场和发展前景。

中电海康存储芯片项目由一批在信息存储芯片设计与制造领域有着丰富经验的国家和浙江省“千人计划”专家领军，成员均来自国际著名的半导体设计及生产厂商、知名存储业务公司或是全球规模最大的非私营信息存储技术研究机构(DSI)，掌握着高端信息存储器件产业的相关核心技术。该项目实施后将填补我国在高端存储芯片领域的空白，有利于我国早日掌握电子信息领域核心自主技术和知识产权，推进国家网络安全和信息化战略。